深冷空分制氮

深冷空分制氮是一種傳統(tǒng)的制氮方法，已有近幾十年的歷史。它是以空氣為原料，經(jīng)過壓縮、凈化，再利用熱交換使空氣液化成為液空。液空主要是液氧和液氮的混合物，利用液氧和液氮的沸點(diǎn)不同(在1大氣壓下，前者的沸點(diǎn)為-183℃，后者的為-196℃)，通過液空的精餾，使它們分離來獲得氮?dú)?。深冷空分制氮設(shè)備復(fù)雜、占地面積大，基建費(fèi)用較高，設(shè)備一次性投資較多，運(yùn)行成本較高，產(chǎn)氣慢(12～24h)，安裝要求高、周期較長。綜合設(shè)備、安裝及基建諸因素，3500Nm3/h以下的設(shè)備，相同規(guī)格的PSA裝置的投資規(guī)模要比深冷空分裝置低20%～50%。深冷空分制氮裝置宜于大規(guī)模工業(yè)制氮，而中、小規(guī)模制氮就顯得不經(jīng)濟(jì)。

分子篩空分制氮

以空氣為原料，以碳分子篩作為吸附劑，運(yùn)用變壓吸附原理，利用碳分子篩對氧和氮的選擇性吸附而使氮和氧分離的方法，通稱PSA制氮。此法是七十年代迅速發(fā)展起來的一種新的制氮技術(shù)。與傳統(tǒng)制氮法相比，它具有工藝流程簡單、自動(dòng)化程度高、產(chǎn)氣快(15～30分鐘)、能耗低，產(chǎn)品純度可在較大范圍內(nèi)根據(jù)用戶需要進(jìn)行調(diào)節(jié)，操作維護(hù)方便、運(yùn)行成本較低、裝置適應(yīng)性較強(qiáng)等特點(diǎn)，故在1000Nm3/h以下制氮設(shè)備中頗具競爭力，越來越得到中、小型氮?dú)庥脩舻臍g迎，PSA制氮已成為中、小型氮?dú)庥脩舻倪x擇方法。

膜空分制氮

以空氣為原料，在一定壓力條件下，利用氧和氮等不同性質(zhì)的氣體在膜中具有不同的滲透速率來使氧和氮分離。和其它制氮設(shè)備相比它具有結(jié)構(gòu)更為簡單、體積更小、無切換閥門、維護(hù)量更少、產(chǎn)氣更快(≤3分鐘)、增容方便等優(yōu)點(diǎn)，它特別適宜于氮?dú)饧兌?/span>≤98%的中、小型氮?dú)庥脩簦泄δ軆r(jià)格比。而氮?dú)饧兌仍?/span>98%以上時(shí)，它與相同規(guī)格的PSA制氮機(jī)相比價(jià)格要高出15%以上。

EA2-TX-100-WX露點(diǎn)儀

Easidew的設(shè)計(jì)方針是：在滿足用戶所有需要的功能前提下，安裝、 操作和使用越簡單越好。高精度低價(jià)格的熱銷性價(jià)比產(chǎn)品，此傳感器為12點(diǎn)校準(zhǔn)，精度質(zhì)量得到市場的認(rèn)可。

EA2-TX-100-WX露點(diǎn)儀[產(chǎn)品特性 ]

● 校準(zhǔn)于-100~+20°C露點(diǎn)

● 反應(yīng)速度快，可靠性好

● 體積小巧，IP65 保護(hù)級別 (IP66可選)

● 僅重150g

● 工作電源12~28VDC

● 線性4~20mA信號輸出

● 極性反向保護(hù)

EA2-TX-100-WX露點(diǎn)儀[ 技術(shù)參數(shù) ]

變送器形式    密析爾的陶瓷濕度變送器

校驗(yàn)范圍       -100~+20°C露點(diǎn)

電　　源       12~28 VDC

輸　　出       4~20 mA電流源覆蓋整個(gè)露點(diǎn)范圍

互 換 性       變送器可互換

精　　度       ±2°C露點(diǎn)

工作溫度       -40~+60°C

溫度系數(shù)       具有溫度補(bǔ)償

工作壓力       30 MPa

流　　量       安裝在標(biāo)準(zhǔn)采樣模塊時(shí)：1~5 NL/min

安裝方式為直接插入(80 μm燒結(jié)防護(hù)套)時(shí)：0~10 NL/min

可溯源性指標(biāo)       -75~+20°C露點(diǎn)溯源至NPL(英國)和NIST (美國)對于露點(diǎn)<-75°C，則以基礎(chǔ)的冷鏡露點(diǎn)濕度儀為直接參考標(biāo)準(zhǔn)]。

環(huán)境保護(hù)       標(biāo)準(zhǔn)連接器時(shí)為IP65 (NEMA 12)

帶模制連接器選件時(shí)為IP66 (NEMA 4)

重　　量       0.15 kg

出錯(cuò)情況指示       情況 　　　　　　　輸出

變送器出錯(cuò)　　　　 23 mA

低于露點(diǎn)范圍　　　 4 mA

超出露點(diǎn)范圍 　　　20 mA